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          MC-HCII絕緣子憎水性帶電檢測裝置

          MC-HCII絕緣子憎水性帶電檢測裝置
          MC-HCII絕緣子憎水性帶電檢測裝置

          MC-HCII絕緣子憎水性帶電檢測裝置絕緣子良好的憎水性可以很好的防止污閃,減少事故發生。所謂憎水性是指絕緣子表面不易受潮,吸附的水分以不連續的孤立小水珠的形式存在,不形成連續水膜,從而限制了表面泄漏電流,提高閃絡電壓

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          產品介紹

          MC-HCII絕緣子憎水性帶電檢測裝置

          絕緣子良好的憎水性可以很好的防止污閃,減少事故發生。所謂憎水性是指絕緣子表面不易受潮,吸附的水分以不連續的孤立小水珠的形式存在,不形成連續水膜,從而限制了表面泄漏電流,提高閃絡電壓。實踐證明,運行中的絕緣子由于污穢、潮濕、放電、低溫等因素的影響,其憎水性會發生下降甚至喪失,并直接影響輸變電設備的防污閃性能,甚至威脅系統的安全運行。因此,對運行中的絕緣子的憎水性進行檢測是十分必要的。

          MC-HCII型絕緣子憎水性帶電檢測裝置結構簡單,操作方便,可以快速準確的判斷絕緣子的憎水性狀況。

          MC-HCII絕緣子憎水性帶電檢測裝置

          2.3 絕緣子憎水性帶電檢測操作細則

             (1)絕緣子憎水性帶電檢測應選擇良好天氣下進行,不易在雷、雨、雪、霧等天氣下進行,同時環境濕度應盡量不大于80%。

             (2)絕緣子憎水性帶電檢測時,為了防止噴水裝置儲水瓶中的水結冰以及噴出的水霧在絕緣子表面結冰,環境溫度應高于0℃,但不應大于40℃,以免水分蒸發過快。

             (3)絕緣子憎水性帶電檢測時,風力應不大于4級。

             (4)待測桿塔的三相絕緣子串均應進行憎水性測量;對于每串待測絕緣子,可選擇位置合適,便于測量且老化現象明顯的1-2片絕緣子進行測量。

             (5)絕緣子憎水性帶電檢測一般需3名及以上工作人員,其任務分工是:塔上噴水操作1名,塔上拍攝操作1名,地面指揮1名。

             (6)登塔前,噴水操作人員在噴水裝置的儲水瓶中裝滿去離子水,并檢察裝置是否漏水,電源電量是否充足;拍攝操作人員檢查攝像機電池的電量是否充足。

             (7)根據情況選擇錄像或拍攝方式,若為拍攝方式則在噴水結束后應迅速完成拍攝,若為錄像方式則應和噴水操作同時開始并在噴水操作結束10秒后,結束錄像。

             (8)噴水操作人員調節噴頭的出水方向使其與待測傘裙表面基本垂直,使噴水裝置的噴頭距離待測傘裙約20cm,開始定量噴水操作。

             (9)一基桿塔測量結束后,兩名塔上操作人員返回地面;將憎水性圖像導入筆記本電腦中,并通過憎水性分析軟件進行憎水性狀態的判斷,存儲判斷結果,同時存儲測量時的背景信息。

             (10)記錄檢測的背景信息,包括:絕緣子型號、安裝日期、檢測時間、檢測位置、檢測時的天氣、光照、溫度、濕度和污染情況等。

          注:現場風力較小,溫度較低(但高于零度)可以直接用拍攝模式來獲取憎水性圖片。

          MC-HCII絕緣子憎水性帶電檢測裝置

          2.1  基本工作方法

              (1)采用噴水分級法(即HC分級法)。

          (2)采取塔上、地面相結合的工作方式。

          (3)工作人員上塔,先對待測傘裙進行定量噴灑水霧,然后用數碼拍攝裝置對噴水后的絕緣子進行拍照。

          (4)工作人員回到地面,將拍攝到的憎水性圖像輸入到計算機中,使用憎水性分析軟件判斷絕緣子的憎水等級。

          2.2  憎水性等級分級方法

          噴水分級法將絕緣子表面憎水性分為HC1-HC7 七個等級,HC1級對應憎水性的狀態,HC7則對應*親水性的表面。本裝置采用如下所述的兩種方法來對絕緣子表面的憎水性狀態進行分級。

             (1)圖像對比法

          將現場獲得的絕緣子憎水圖像同圖1-1所示的標準圖像進行對比,通過分析待測圖像與各標準圖像的相似性并參考表2-1所示的各HC等級的特征描述來進行分級。

           

          圖1-1  不同憎水等級的標準圖像

            表1  不同憎水性等級的圖像特征描述(注:θr接觸角)

          HC值

          絕 緣 子 表 面 水 滴 的 狀 態

          1

          僅形成分離的水珠,大部分水珠θr≥80°

          2

          僅形成分離的水珠,大部分水珠50°<θr<80°

          3

          僅形成分離的水珠,水珠一般不再是圓的,大部分水珠20°<θr≤50°

          4

          同時存在分離的水珠和水膜(θr=0°),總的水膜覆蓋面積<被測面積的90%,大的水膜面積<2cm2

          5

          總的水膜覆蓋面積<被測面積的90%,大的水膜面積>2cm2

          6

          總的水膜覆蓋面積>被測面積的90%,有少量的干燥區域(點或狹窄帶)

          7

          全部試驗面積上覆蓋了連續的水膜

          (2)改進形狀因子法

          通過計算絕緣子憎水圖像中的大水珠(或大水膜)的面積比K和形狀因子fc,并依據表2-1所示判據來進行分級。面積比K的計算公式為:

           

                      

           

          (2-1)式中,大水珠(水跡)的面積和圖像總面積的單位均為像素。形狀因子fc由計算公式得到。

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